دانلود تحقیق با موضوع حافظه RAM،
در قالب word و در 12 صفحه، قابل ویرایش.
بخشی از متن تحقیق:
حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای كامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما’ دستیابی پیدا كرد . در مقابل حافظه هایRAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه هایSAM اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا’ امكان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار كاست ) در صورتیكه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یك از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیكه پردازش داده ها الزاما’ بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی كارت های گرافیك ).اماداده های ذخیره شده در حافظهRAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.
مبانی حافظه هایRAM
حافظه RAM ، یك تراشه مدار مجتمع (IC) بوده كه از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشكیل شده است .در اغلب حافظه ها با استفاده و بكارگیری یك خازن و یك ترانزیستور می توان یك سلول را ایجاد كرد. سلول فوق قادر به نگهداری یك بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را كه یك یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد كرد.عملكرد ترانزیستور مشابه یك سوییچ بوده كه امكان كنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را بهمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یك ظرف ( سطل) بوده كه قادر به نگهداری الكترون ها است . بهمنظور ذخیره سازی مقدار’ یك’ در حافظه، ظرف فوق می بایست از الكترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یك ظرف مملو از الكترون تخلیه می گردد. بنابراین بهمنظور اینكه حافظه بصورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده یا ‘ كنترل كننده حافظه ‘ قبل از تخلیه شدن خازن، مكلف به شارژ مجدد آن بهمنظور نگهداری مقدار ‘یك’ باشند. بدین منظور كنترل كننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا’ اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یك ثانیه تكرار خواهد شد.علت نامگذاریDRAM بدین دلیل است كه این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تكراری ‘ بازخوانی / بازنویسی اطلاعات’ در این نوع حافظه ها باعث می شود كه زمان تلف و سرعت حافظه كند گردد.
سلول های حافظه بر روی یك تراشه سیلیكون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط كلمات) تشكیل می گردند. نقطه تلاقی یك سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .
حافظه هایDRAM با ارسال یك شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد كه خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندنSense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیكه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار ‘یك’ خوانده شده و در غیراینصورت مقدار ‘صفر’ خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار كوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یك میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد. تراشه حافظه ای كه دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد كشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.
